投资界（ID：pedaily2012）9月4日消息，第三代半导体外延代工服务商南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）日前宣布超募完成Pre-A轮融资，融资总额过亿元人民币。本轮融资仍由和利资本领投，台达电等知名投资方跟投。融资主要将用于建厂及生产设备购入。
由于第三代半导体材料特性带来的终端系统性能和成本优势,终端市场借由行动装置电源适配器、5G基站PA、无人机微波应用、动车OBC及充电桩转换以氮化镓与碳化硅为基础的器件开发与市场应用需求已非常明显。继特斯拉--美国电动汽车公司的领导者，开始在Model3上使用碳化硅MOS作为其OBC解决方案，全球汽车市场也开始导入碳化硅电源器件产品验证以取代传统硅基IGBT。
百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供专业、高质量的碳化硅及氮化镓外延代工服务。
核心团队来自一家在宽禁带(碳化硅、氮化镓)材料/器件开发方面拥有10多年经验的主要供货商，具备外延片物理规格与器件特性连结经验, 熟悉市场及客户产品需求，产业上游供应链及下游客户渠道畅通。凭借着团队雄厚量产经验, 百识电子以高质量制造能力，提供四吋、六吋碳化硅，以及六吋、八吋硅基氮化镓专业外延代工服务, 以满足新世代功率器件开发市场需求, 例如电动汽车OBC的SiC MOSFET 650V、逆变器的SiC MOSFET 1,200V等。除了标准规格外延，百识电子针对特殊应用市场需求，也提供客制化规格外延服务,强化外延片产品与客户竞争力。
自2019年12月份获得和利资本领投的天使轮5000万融资之后，公司加快各项建设。无尘室工程已于2020年8月15日动工，预计今年年底工厂开始运转。目标2021年第一季度完成6英寸SiC外延片开发送样，并于2021年上半年完成GaN外延开发。
“百识非常感谢大家的支持。虽然目前建厂进度因疫情关系有些许推迟，但我们将努力依循原计划向前推进。”百识董事长李屏表示。
和利资本创始管理合伙人孔令国表示：“得益于材料特性, 第三代半导体是必然的趋势, 外延片更是其中最关键的核心, 在这个重资产投入但潜力十足领域, 百识是具备规模化量产经验的核心团队, 并整合产业资源赋能企业。百识团队从天使轮至今, 脚踏实地往前推进, 稳健又扎实, 我们对百识充满信心。和利更将进一步在生态上布局, 加速第三代半导体落地。”
