投资界（ID：pedaily2012）2月16日消息，近日，钛信资本完成对英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）6.5亿元的D轮投资。本轮融资由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投，投资总额近30亿元。钛信资本作为本轮领投方，本轮出资占比超过20%，也是投资金额最大的投资人。
英诺赛科于2015年成立，是第三代半导体硅基氮化镓领域全球龙头，也是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。英诺赛科技术处全球第一梯队，产能国内第一，消费级市场中快充产品已领先于市场快速放量，未来数据中心、5G基站、新能源汽车等市场将持续接力构成公司增长曲线。
氮化镓市场爆发即将到来
近年来，半导体行业发展迅速，带动了一系列产业的经济增长。随着基于硅技术接近发展极限，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等为代表的第三代半导体，正在成为引领下一代信息技术的浪潮，也是全球各国争相角逐的市场。
氮化镓作为第三代半导体材料，具备耐高温、耐高压、高频率、大功率等优势，且能量转化率高、体积小；凭借优异的物理特性，氮化镓天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件，相比于硅器件，可降低50%以上的能量损失，减少75%以上的装备体积。
氮化镓的各项性能优势，可满足节能、减排、智能制造等全球战略需求，给产业应用带来巨大系统优势，应用前景非常广阔。随规模化生产技术成熟，氮化镓将成为未来功率半导体的主流，未来在消费电子、数据中心、5G基站、新能源车等多个领域，氮化镓需求将迎来爆发式增长。
英诺赛科跻身全球前三
英诺赛科是跻身全球氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头。英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，首次实现8英寸硅基氮化镓外延与芯片的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。在非常短的时间内，英诺赛科打破了美国技术垄断，实现了国产氮化镓芯片的崛起。根据Trendforce 2021年数据，英诺赛科氮化镓功率产品全球市场占有率一举攀升至20%，跃升为全球第三，排名仅次于纳微、PI。
目前英诺赛科是全球唯一实现同时量产氮化镓高、低压芯片的半导体企业，高压快充产品出货已达数千万颗，低压产品成功取代了某电源管理技术世界领先供应商产品，成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商。此外，英诺赛科还与小米、OPPO、比亚迪、安森美、MPS等国内外厂商开展应用开发合作。
在国家战略层面，英诺赛科已被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。
凭借领先市场的技术储备、产能、客户，以及更具市场需求响应能力的IDM模式，英诺赛科必将在全球氮化镓应用爆发的浪潮中大放异彩。
钛信资本创始人高毅辉表示：
“氮化镓作为一种新型半导体材料，是一个崭新的领域，也是为数不多与国外差距不大、我国最有可能实现弯道超车的领域之一，市场前景非常广阔。
英诺赛科是氮化镓领域全球龙头，在团队、技术、产能、客户等方面都已达到领先的位置。英诺赛科由原美国宇航局（NASA）科学家骆薇薇博士带队，聚集了来自全球知名半导体企业的氮化镓领域全球顶尖人才，具备丰富的研发、建厂、制造（工艺）和运营经验。公司成立不久就建成中国首条8英寸硅基氮化镓生产线，目前已经开始实现大规模量产，产能国内第一，还在持续快速爬升，公司客户开拓进展也远领先于竞争对手。随着氮化镓应用市场迎来快速增长，我们非常看好公司的成长潜力，将以充足的支持助力其全面发展。”
