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氮矽科技完成A轮融资,魅族联合创始人白永祥领投

本轮资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面,继续加大研发投入以及拓宽应用市场,确保在2023年实现工业应用领域的突破,争取在2024年实现汽车应用领域的突破。

投资界(ID:pedaily2012)消息,近日,氮化镓初创公司氮矽科技完成数千万A轮融资。本轮融资由前魅族联合创始人白永祥领投,兰璞资本亚商资本跟投。

本轮资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面,继续加大研发投入以及拓宽应用市场,确保在2023年实现工业应用领域的突破,争取在2024年实现汽车应用领域的突破。

氮矽科技成立于2019年,是国内首批成立的专注于功率氮化镓器件及其驱动器的设计和销售的半导体公司,其研发运营中心设于成都,拥有博士6人,研发人员占比70%以上,在深圳设有子公司,主要负责市场营销。

公司创始人罗鹏介绍,氮矽科技于2021年8月完成Pre-A轮融资,用于加强研发及部分产品销售的备货。研发方面,公司在2021年底发布了80V氮化镓半桥驱动芯片,在2022年扩充了650V氮化镓晶体管产品线的产品,完成了氮化镓超高速(50-100MHz)驱动芯片的研发,并在2022年7月发布了使用先进的面板级封装技术的集成驱动的氮化镓芯片等。市场方面,氮矽科技的650V系列产品已广泛应用于PD快充类产品,产品累计订单已超过1,000,000颗;公司在适配器电源市场也实现从无到有的突破,同时公司积极布局数据中心电源,新能源汽车,光伏储能等市场。

相比传统硅基器件,氮化镓器件具有超低导通电阻、超高频、无反向导通损耗等特点,可以大大提升电源的效率及功率密度,自2019年OPPO发布全球首款氮化镓快充充电器之后,650V系列的氮化镓器件的出货迎来爆发式增长,并快速占领大功率(>65W)PD快充头市场。对比PD快充市场,氮化镓在传统电源适配器、工业、汽车等电源领域的进展却很缓慢,主要的原因包括有产品封装形式单一、应用设计难度大、研发周期长、配套IC价格高等。

根据不同的应用市场和领域,氮矽科技推出不同系列的产品。针对充电头市场的DFN系列产品,针对电源适配器市场的TO系列产品、以及针对高频以及高可靠性应用场景的驱动与氮化镓集成的PIIPTM系列产品。

相比于高压650V氮化镓在PD市场上的披荆斩棘,国内低压(≤200V)氮化镓的市场依旧处于萌芽阶段。低压氮化镓在D类放大器(Class-D)音箱、锂电BMS、数据中心、无线充电、激光雷达等领域对比传统硅器件无论在性能还是系统成本上都有着巨大的优势,而限制氮化镓普及的痛点主要有驱动芯片匮乏、系统应用研发周期长、客户验证周期长等。氮矽科技针对此推出了三款驱动芯片:单通道氮化镓驱动芯片、80V半桥氮化镓驱动芯片以及适用于激光雷达的超高速氮化镓驱动芯片,此三款驱动芯片填补了国内在氮化镓驱动芯片领域的空白。同时氮矽科技全力研发低压氮化镓器件配合氮化镓驱动芯片搭建成氮化镓模块,氮化镓模块将大大简化客户端的应用搭建难度,缩短应用研发周期,同时可以有效的保护氮化镓器件脆弱的栅极从而极大的提高系统的可靠性。

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