受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在2022年最后两个季度均出现暴跌。
根据TrendForce的最新数据显示，DRAM的平均价格继2022年第三季度暴跌31.4%之后，在第四季度的跌幅扩大到了34.4%。今年Q1，DRAM均价跌幅收敛至13%～18%，Q2 DRAM价格跌幅收窄至10%到15%。
与DRAM市况相似，NAND闪存的市场需求也大幅下滑。2022年Q3和Q4 NAND Flash价格跌幅均超过20%，今年Q1 NAND Flash均价跌幅收敛至10％-15％，Q2 NAND Flash均价续跌 10%～15%。
可以看到，今年Q1、Q2存储市场的跌幅正在逐渐放缓。众所周知，存储价格具有很强的周期性，在这一轮市场下滑到底部后，伴随着经济和需求面的改善，存储市场复苏迹象正在出现并日益明显。
019月，市场回暖迹象愈发明显
根据TrendForce统计数据显示，今年Q3预估 DRAM均价跌幅收敛至0~5% 。NAND Flash均价跌幅收敛至3～8％。跌幅的收敛得益于三星、美光科技、SK海力士、西部数据、铠侠等一众厂商的减产策略。如今存储市场的供需关系正在加速回归平衡。
三井住友信托银行的山上隼人以三星电子、SK海力士、美光等厂商的存货资产等为依据，计算出“库存周转天数”，在2023年4-6月时平均为151天、较近期最高纪录的2022年10-12月（158天、过去10年来最长）缩短4%。因销售出现改善，市场也传出“DRAM价格应该不会再往下跌”的声音。
同时在市场的现货价格上，也不断有好消息传来。从2023年4月，存储芯片的现货报价跌幅开始收敛，6月有市场消息称，存储芯片三巨头集体酝酿涨价，目标涨幅最高8％，8月，指标性产品8GB DDR4价格为每块1.48美元左右，已是连续第四个月环比持平。
存储芯片在经过史上最长的库存调整期后，近期属合约市场下游的厂商，已被原厂通知第四季度合约价要调涨，比如据《韩国经济日报》引述业界消息报道称，日前三星已与小米、OPPO、谷歌等智能手机品牌客户签署了DRAM和NAND Flash芯片供应协议，价格比现有的合约价高出了10%～20%。上游涨价合约价格信息的调整带动，这一波涨价由8-9月现货市场开始反弹。
02存储产品全线涨价
首先看DRAM。在供应端，自今年年初起，三大DRAM龙头陆续启动减产措施，以因应市场需求不振，且进入下半年后，业界再度传出三星将再度减产，且累计各大DRAM厂的减产后，将可望让第四季度的DRAM市场供给量再比第三季减少两成。早在今年4月，美光消费零部件相关部门就正式向经销商发出通知称，自5月起，DRAM及NAND Flash将不再接受低于现阶段行情的询价——换言之，美光认为现阶段价格已是*行情，不再响应降价要求。
在需求端，PC、智能手机等终端电子装置搭载容量都呈现大幅成长趋势，这也成为下半年有效去化库存的关键。
在三大DRAM原厂的市场供给量持续减少，以及终端电子装置搭载容量年成长五成情况下，下半年DRAM价格也有望迎来上涨。业内预计，DRAM将于今年四季度开始上涨，标志着新一轮增长周期的开始。并且，DRAM 价格上涨不仅是由于减产和库存清仓等因素，还与人工智能市场有关。
再看NAND。本月韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。
自今年年初以来，三星一直采取减产措施，晶圆产量大幅下降了40%。只是最初的减产举措主要集中在DRAM领域，但随着下半年开始，三星着手大幅削减NAND Flash业务产量。当前，三星正试图推动NAND价格正常化，以实现公司的盈利目标。在三星的减产战略下，DRAM领域已出现价格反弹，而NAND产品仍存在突破空间。三星的目标是进一步扩大减产规模，以降低供应量，并逐步提高产品价格，从而实现公司的反转目标。
美光也宣布将自9月起提高NAND Flash晶圆合约价约10%，这一举措被认为有望改善美光下半年的盈利状况。不仅如此，随后，SK海力士、西部数据、铠侠等厂商也纷纷跟进，将价格上调了约10%。为了确保此次涨价取得预期效果，三星、美光甚至内部下达了一个明确的指令：绝不亏本卖NAND芯片，必须盈利才能出货。
在国内存储市场，涨价行情也正自上而下传导，据中国闪存市场信息显示，由于NAND晶圆颗粒的价格上涨，以及贸易商出货报价抬高的影响，国产SSD、eMMC/UFS、卡和 U盘等成品端现货价格全线走高。
其中SSD成本价格大概已上涨 20% 左右，国产二三线 SSD 品牌厂家近期已经陆续开始执行涨价。有些品牌在8月底已小涨，有的品牌已从 9 月份开始执行涨价，首次成本价格上涨预计约达到 10% 左右，整体上涨幅度可以达到 15% 以上。预计多数品牌可能选择几轮的涨价策略陆续执行，主要看市场需求以及终端的接受度而定，如果市场需求过差持续上涨可能受阻。
国内不少存储模组大厂最近已经向客户宣布暂停低价接单。从9月12日最新情况来看，上游方面，1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer连续数周调涨，当周上涨至3.35/1.65 美元；而在DDR方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT价格分别上涨2.38%/5.88%；在渠道市场，SSD和内存条价格也出现普涨行情。
三星、铠侠、SK海力士等上游NAND Flash原厂开始拉高晶圆合约价，由于下游系统模组厂手中库存低于正常季节水准，引发终端抢货，消费性SSD、存储卡，手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。供应链传出，目前平均涨幅约在个位数左右，由于部分存储产品库存水位相对较低，因此四季度涨幅有望上看双位数。
03五大厂商8、9月最新营收，多家创新高
历经原厂陆续减产后，已有多家存储厂商在最近两个月的营收出现了环比增长的迹象，预示着需求正在缓慢回升。
南亚科：8 月营收25.75 亿新台币，较2022年同期减少24.69%，较7月增加5.65%，为九个月来新纪录；9月营收为27.24 亿元新台币，月增5.8%，年减15.03%，业绩再创新高。
群联电子：8 月营收39.90 亿新台币，环比增长17.56%；9月营收为50.04亿元新台币，月增25.38%，年增4.05%，重返50亿元新台币大关，创14个月新高。群联电子表示8月SSD模组出货量已逐渐回温，其中PCle SSD模组同比增长约60%，整体NAND位元数同比增长近50%。部分NAND控制芯片开始出现客户端库存不足的状况。随后在9月份SSD模组出货量持续出现逐渐回温状况。其中，PCIe SSD模组出货量成长更是将近60%，而整体NAND储存位元数的年成长率（BitGrowth Rate） 也超过75% 。
华邦电子：8月营收64.24亿新台币，环比增长1.74%；9月营收为67.66亿元新台币，月增5.32%，年减7.96%。华邦电子表示8月DRAM市场略有回温。
旺宏：8月营收26.01亿新台币，环比增长19.23%；9月营收为25.01亿元新台币，月减3.8%，年减39.6%。旺宏表示2023年下半年汽车NOR Flash有望逐季回升。
威刚：8 月营收29.71 亿新台币，环比增长30.40%，创近11 个月单月新高。9月业绩暂未公布。不过威刚指出，其8月DRAM模组营收较上个月大幅成长五成，不仅一举超过14亿元，也达到2022年5月以来单月新高，占整体营收比重则拉高至47.57%。SSD单月营收同步回升至9.98亿元，月增19.89%，营收比重为33.6%；闪存卡、U盘及其他产品占比18.83%。
10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。
眼看市场回暖在即，2024年存储市场的发展趋势将会如何？
042024年，中国市场DRAM、NAND芯片供应将出现短缺
近日，三星电子对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，半导体行业将从 2024 年起全面反弹。三星预计从 2024 年开始将会有部分地区的 DRAM 和 NAND Flash 供应出现短缺，特别是在中国市场。
三星的一位高级管理人员提到，越来越多的半导体公司已经完成库存调整，特别是在与*客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计NAND业务的亏损将大幅减少。
在服务器DRAM业务方面，针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能需求，正在扩大基础设施投资。
那么未来存储市场的需求驱动力又有哪些？
05未来哪些存储芯片将变得更加火热？
据华经产业研究院统计，智能手机对DRAM和NAND的需求量均接近40%。此外，服务器和PC对DRAM的需求分别达到34%和13%。
手机：对大容量LPDDR、3D NAND组件等需求越来越大。
国内智能手机市场正掀起一场大内存普及战役。过去一两年，低端手机NAND Flash容量由32GB逐渐升至64GB；中端手机已经逐渐取消RAM 8GB和ROM 128GB容量配置，完全普及256GB；支持RAM 12/16/18GB和ROM 512GB/1TB容量的机型越来越多，并逐渐向中低端渗透。反映到全球存储容量规模上，2022年全球NAND Flash容量增长6%至6100亿GB，全球DRAM容量将增长2%至1900亿GB。可以见得，未来对大容量LPDDR、3D NAND组件等需求会越来越大。
PC：DDR5/LPDDR5渗透率提高，512GB SSD成为主流。
PC及平板电脑的出货量大涨，对于DDR内存的需求也显著增大，DDR5已经开始被推向市场的风口。英特尔及 AMD 均已发布支持 DDR5 的处理器，AMD 在 2022 年 8 月发布其锐龙 7000 系列处理器，首发包括 R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X 四个型号，已在 9 月 27 日正式上市，7000 系列处理器全面支持 DDR5，且不再支持 DDR4 内存，足以看出 AMD 对于未来搭载 DDR5 内存平台的信心。
另外在PC领域，固态硬盘已经完全取代了机械硬盘，目前笔记本电脑中配备512GB SSD成为主流，搭载1TB/2TB的SSD的PC也在逐渐增多。
AI服务器：DDR5渗透率快速增长，HBM需求激增。
服务器需求的增长正在成为存储芯片市场的新能动，超大规模数据中心的高性能服务器更是离不开DDR5的加持，叠加AI效应的持续发酵，HBM产品需求暴增。据悉，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高，近期HBM3规格DRAM价格已上涨5倍。
根据TrendForce，目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流，预估2023年全球HBM需求容量将达2.9亿GB，同比增长近60%。TrendForce测算，2023年HBM市场规模预计为31.6亿美金，到2025年市场规模有望突破100亿美金。
从目前各原厂规划来看，TrendForce预估2024年HBM供给位元量将同比增长105%。
汽车等新兴领域驱动存储市场增长。
随着智能汽车的不断发展也给主流和利基型存储带来新的增长点。据悉，全自动驾驶车辆所需的DRAM、NAND将分别是传统汽车的30倍与100倍。另外在物联网、可穿戴设备、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的技术发展将持续引领市场增长。
在经历了一年的价格波动之后，存储芯片市场终于开始走向回暖。结合几大原厂最新财报数据及市场动态显示，库存调整有所成效，预计存储芯片行业有望最晚在2024年步入量价齐升的上行通道。
