天科合达完成Pre-IPO轮融资，专注第三代半导体碳化硅晶片领域

投资界（ID：pedaily2012）2月16日消息，第三代半导体碳化硅晶片研发生产商天科合达完成Pre-IPO轮融资，京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等三支基金参与本轮融资，其他投资人包括国内多家投资机构。

北京天科合达半导体股份有限公司成立于2006年9月，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一。公司总部设在北京市大兴区，目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。

天科合达先后申请专利60余项，已获授权专利40余项；参与起草并正式发布国家标准4项，行业标准1项，团体标准8项。公司在导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一，2021年跃居世界前四。

天科合达从2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，成功制备出高品质8英寸导电型SiC单晶衬底。据天科合达相关负责人介绍，公司目前产能正在不断突破，北京二期和徐州二期也在进一步规划中，预计2025年底，6英寸有效年产能达到55万片，6到8英寸，可根据实际需求进行快速产能切换，今后公司的国际竞争力和品牌影响力会进一步增强。

根据报告，天科合达8英寸导电型碳化硅产品的多项指标均处于行业内领先水平，已经达到了量产标准，计划2023年进行小批量生产。