启明星半导体6英寸SiC SBD量产，布局第三代半导体产业链

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是继*代硅（Si）、锗（Ge）和第二代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料之后发展起来的第三代半导体材料。

与*、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2eV），也被称为高温半导体材料。

SiC 正凭借其优良的性能，在许多领域可以取代硅，打破硅基材料本身性能造成的许多局限性。SiC在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，市场前景巨大。

根据Yole Développement报告指出，到2024 年，SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元，2018年至2024期间的年复合成长约30%。其中，汽车市场无疑是最重要的驱动因素，其占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。

成立于2019年的启明星半导体技术（西安）有限公司（以下简称启明星半导体），一家专注于第三代半导体产业，服务于电力电子领域的半导体功率器件公司。产品范围覆盖硅工艺和碳化硅工艺的功率器件、模块到电源管理方案，广泛应用于新能源、家电、通讯、工业制造等领域。

启明星半导体虽然成立时间不长，但是核心人员从事SiC领域的研究超过15年，与国内外相关高校、研究所展开深入合作，拥有全球*半导体巨头企业资深专家加盟，努力打造从材料、器件、模块、到行业应用方案的完整生态链。现已具备6英寸SiC SBD和MOSFET批量供货能力，与国内相关行业的领军企业达成战略合作和批量供货协议，并陆续开始供货。

另外，凭借强大的科研团队，启明星半导体加大在GaN领域以及电源管理方面的研究，目前在该领域已取得突破进展。

在提及为何选择落户西安高新区时，启明星半导体总经理马凯表示，这里产业配套齐全，聚集了半导体研发生产上游企业，以及新能源、家电、通讯等下游用户，为企业发展营造了良好的营商环境。

众所周知，西安是国内的半导体产业重镇，这里曾诞生过我国的*台极小规模集成电路微型计算机、*块16位微处理器，西安微电子技术研究所也曾代表着国内*进的半导体科研水平。

2000年后，西安高新区在半导体产业逐步发力。2005年，美光公司在西安高新区投资2.5亿美元建立封测基地；2012年，西安高新区又成功引进三星电子存储芯片项目，一期实际投资超过100亿美元，主攻高端存储芯片市场的三星（中国）半导体有限公司。随着2019年三星西安项目二期*阶段70亿美元投资追加完成，西安高新区半导体产业的聚集效应持续放大。

在行业龙头企业的带动下，100多家相关配套企业相继落户，西安高新区的半导体产业链不断完善，大量相关产业资源向此地聚拢。其配套企业已涵盖化工、原材料制造、集成电路设计、封装测试等多个方面。

目前，西安高新区半导体产业已形成了以硅晶圆制造为核心，湿电子化学品、特种气体等产品为主的发展格局。2018年，高新区半导体总收入448.55亿元，半导体企业超过200家，从业人数6.5万人，产业规模位列国家高新区第四，仅次于中关村、上海张江区和深圳高新区。未来规模可达数千亿元级的半导体产业集群，已在西安高新区初现雏形。

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