【DRAM江湖春秋】欧洲存储器巨头，奇梦达破产后，却被中国救活了？

奇梦达前世

欧洲三大芯片巨头分别是德国英飞凌公司，荷兰恩智浦公司和意法半导体公司。

➢其中英飞凌公司起源于德国西门子公司半导体事业部；

➢恩智浦公司起源于荷兰飞利浦公司半导体事业部和美国摩托罗拉公司半导体事业部；

➢意法半导体公司则由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。

DRAM版美国演义和日本演义过程中，欧洲人一直处于DRAM江湖的边缘。在这三大欧洲芯片巨头中，英飞凌公司曾经在DRAM江湖中留下一段精彩传说。

1985年，西门子公司生产了*台现代意义上的商用移动电话，其重量约为3公斤。同年，西门子半导体事业部成立。1994年，西门子公司推出了*款基于GSM制式标准的手机——西门子S1 Marathon。

1999年4月1日，西门子旗下半导体事业部正式独立，于2000年在法兰克福交易所上市，代码IFX，并于2002年改名为英飞凌公司。2004-2005年，全球DRAM市场增长了57%，但内存平均价格下跌了40%。为了规避风险，2006年5月，英飞凌公司决定专注于逻辑芯片业务，并将其内存事业部剥离。英飞凌公司内存事业部正式独立，命名为奇梦达（Qimonda）公司。

与日本尔必达公司成立之初的状况不同，奇梦达公司成立之初营收额达到49亿欧元。2006年8月，奇梦达公司在纽约证券交易所上市，股票代码“QI”，是“剥离独立即上市”的典型。奇梦达公司在全球DRAM厂商中率先采用12英寸晶圆制造DRAM。尽管12英寸晶圆厂的投资比8英寸晶圆厂的投资高出近一倍，但是可以使单颗DRAM的制造成本降低30%左右。

这使奇梦达公司在2006年个别季度超过当时的海力士公司，曾经成为DRAM江湖的榜眼。2008年，奇梦达公司成为全球*宣布突破30nm工艺的DRAM厂商，在欧洲、亚洲和北美拥有五个12英寸晶圆生产基地，全球拥有约13000名雇员。

➢2007-2009年，全球DRAM产业第三次大萧条的故事上面已经描述过了。这时候，奇梦达公司首先顶不住了，一个原因是其员工福利较好，DRAM制造成本比竞争对手的制造成本高。现金流很快就清零了，被迫廉价出售和中国台湾省南亚科技公司合资的华亚科公司。

➢2007上半财年，奇梦达税前息前净利3.35亿欧元，2008上半财年，净亏损超过10.58亿欧元。

➢2008年10月，奇梦达公司宣布了3000人的裁员计划，并向德国政府申请贷款，用于提升改造其在德国本土德累斯顿晶圆厂的生产线。

➢2008年11月，奇梦达公司再次向德国政府、英飞凌公司（持有奇梦达77.47%股份）和葡萄牙州立银行（奇梦达公司在葡萄牙设立了DRAM生产基地）申请3.25亿欧元贷款。

然而，德国政府设置了两个前提条件，一是英飞凌公司同等出资，奇梦达公司部分国有化；二是欧洲委员会需批准。设置两个前提条件的结果可想而知，英飞凌公司拒绝出资，德国政府认为大股东都不救了，所以也就放弃注资了。

奇梦达今生

➢2009年1月23日，欧洲大陆硕果仅存的DRAM厂商，奇梦达公司终于宣布破产，从而正式宣告欧洲告别全球DRAM江湖。当时的难兄难弟，日本尔必达公司是非常希望和奇梦达公司结盟以应对危机的，结果只好独自前行了，随后日本尔必达公司也告别了DRAM江湖。

➢2009年下半年，随着Windows 7操作系统，iPhone3等各种智能手机的陆续上市发布，“需求提出-供不应求-价格上涨”的市场规律再次得到验证。

➢2009年年末和2010年年初，即将熬过DRAM产业第三次大萧条的各大厂商又一次迎来了DRAM江湖的小希望，开始小规模盈利。此时，DRAM江湖上奇梦达公司已经成为了传说。

最早期的DRAM是平面式的架构，随着线宽减少，表面积相应缩减，电容值已经无法满足读取需求。因此，不断缩微的DRAM架构演变技术路线有两条：一是堆叠式（Stack）电容器，二是沟槽式（Trench）电容器，其基本原理都是以空间结构的变化来获取更大的表面积。

前者将电容叠加在晶体管上面，可以用内表面、外表面这两面作为电容，工艺相对简单。后者在晶体管下面挖沟槽，工艺相对复杂，但是单元所占的面积更小，功耗更低（这对智能手机特别重要）。

奇梦达公司是沟槽式技术路线的提出者，对堆叠式技术路线的发展也有重要贡献。破产之前，奇梦达公司提出了类似堆栈式技术的“埋入式字线DRAM单元”，并在实验室验证了46nm工艺的产品的可行性。

可惜的是，既没有等到德国政府的注资，也没有熬到半年后DRAM的价格回升，来不及进行量产销售，就倒闭了。在这两条技术路线并存20多年后，随着奇梦达的结束倒闭，加上技术联盟规模太小，沟槽式技术路线最终被弃用。

从2008年开始，DRAM江湖的三大巨头开始采用堆叠式技术路线。但是，这三大巨头的DRAM产品或多或少都可以找到“埋入式字线DRAM单元”的元素，比如，采用了内外两面的电容增大面积。

奇梦达公司的“埋入式字线DRAM单元”，图片来源：2008年IEDM会议

为此，【芯光社特邀专家】还专门找到了奇梦达公司在芯片产业界的*会议、美国电气和电子工程师协会（IEEE）举办的IEDM会议（国际电子器件会议）上发表的“埋入式字线DRAM单元”的论文。这篇论文的引用次数仅为63次，但是却代表了当今DRAM不断缩微的一条技术路线。

奇梦达公司发表的经典论文，图片来源：2008年IEDM会议

如上所述，2009年1月23日，欧洲大陆硕果仅存的DRAM厂商，奇梦达公司宣布破产。2009年4月，山东华芯半导体有限公司（山东华芯）联合浪潮集团，完成对奇梦达全球第二大研发中心——西安研发中心的收购，5月成功交割，8月正式开业，采取了保留团队、提升技术、研发产品和开拓市场等多种措施，被广泛认为是一个成功的抄底动作。2015年，又被紫光国芯收购。

浪潮集团联合山东华芯收购奇梦达西安研发中心的，图片来源：CCTV

奇梦达公司不存在了，但是，其技术衣钵最终传到了中国，后回故事还会详述。

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